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23125752SC3332S-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SC3332S

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2SC3332S
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN 160V 0.7A NP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    2SC3332S.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    160V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    400mV @ 25mA, 250mA
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    3-NP
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    700mW
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Andere Namen
    2SC3332S-ND
    2SC3332SOS
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    120MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 700mA 120MHz 700mW Through Hole 3-NP
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    140 @ 100mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    700mA
  • Basisteilenummer
    2SC3332

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Das Folgende sind "2SC3332S" -Einziper.
2SC3332R

2SC3332R

Beschreibung: TRANS NPN 0.7A 160V

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3325-O(TE85L,F)

2SC3325-O(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SC3356-T1B-A

2SC3356-T1B-A

Beschreibung: RF TRANSISTOR NPN SOT-23

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
2SC3332S-AA

2SC3332S-AA

Beschreibung: TRANS NPN 160V 0.7A NP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3356-T1B-R25-A

2SC3356-T1B-R25-A

Beschreibung: SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
2SC3356-T1B-R24-A

2SC3356-T1B-R24-A

Beschreibung: SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
2SC3328-Y,T6CKF(J

2SC3328-Y,T6CKF(J

Beschreibung: TRANS NPN 2A 80V TO226-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SC3324GRTE85LF

2SC3324GRTE85LF

Beschreibung: TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SC3326-B,LF

2SC3326-B,LF

Beschreibung: TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SC3326-A,LF

2SC3326-A,LF

Beschreibung: TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SC3332R-AA

2SC3332R-AA

Beschreibung: TRANS NPN 0.7A 160V

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3357-T1-RF-A

2SC3357-T1-RF-A

Beschreibung: SAME AS NE85634 NPN SILICON MEDI

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
2SC3332T-AA

2SC3332T-AA

Beschreibung: TRANS NPN 160V 0.7A NP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3332T

2SC3332T

Beschreibung: TRANS NPN 160V 0.7A NP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3357-T1-A

2SC3357-T1-A

Beschreibung: RF TRANSISTOR NPN SOT-89

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
2SC3328-O,T6KEHF(M

2SC3328-O,T6KEHF(M

Beschreibung: TRANS NPN 2A 80V TO226-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SC3357-A

2SC3357-A

Beschreibung: RF TRANSISTOR NPN SOT-89

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
2SC3356-A

2SC3356-A

Beschreibung: RF TRANSISTOR NPN SOT-23

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
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2SC3328-Y,HOF(M

2SC3328-Y,HOF(M

Beschreibung: TRANS NPN 2A 80V TO226-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
2SC3325-Y,LF

2SC3325-Y,LF

Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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