Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-RF > 2SC3356-T1B-R25-A
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4259520

2SC3356-T1B-R25-A

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    2SC3356-T1B-R25-A
  • Hersteller / Marke
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    2SC3356-T1B-R25-A.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    12V
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    200mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Rauschzahl (dB Typ @ f)
    1.1dB @ 1GHz
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gewinnen
    11.5dB
  • Frequenz - Übergang
    7GHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kündigt 500 Entlassungen an, wobei die Umstruktu...

2024/12/4

Quanta: Die KI -Nachfrage ist weiterhin stark, mit einem st...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduziert die Verwendung von Photoresist in der 3D ...

2024/12/2

Vishay wird 51 Millionen Pfund in den erworbenen NWF Wafer ...

2024/11/29

Trumps Tarifbedrohung, Nvidia, Intel -Lieferanten, bewerten...

2024/11/28

Intel erhält Subventionen in Höhe von 7,86 Milliarden US ...

2024/11/27
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "2SC3356-T1B-R25-A" -Einziper.
2SC3415STPN

2SC3415STPN

Beschreibung: TRANS NPN 300V 0.1A 3PIN SPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3356-T1B-A

2SC3356-T1B-A

Beschreibung: RF TRANSISTOR NPN SOT-23

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
2SC3332S

2SC3332S

Beschreibung: TRANS NPN 160V 0.7A NP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3356-T1B-R24-A

2SC3356-T1B-R24-A

Beschreibung: SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
2SC3357-A

2SC3357-A

Beschreibung: RF TRANSISTOR NPN SOT-89

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
2SC3332T-AA

2SC3332T-AA

Beschreibung: TRANS NPN 160V 0.7A NP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3357-T1-A

2SC3357-T1-A

Beschreibung: RF TRANSISTOR NPN SOT-89

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
2SC3332T

2SC3332T

Beschreibung: TRANS NPN 160V 0.7A NP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3503DSTU

2SC3503DSTU

Beschreibung: TRANS NPN 300V 0.1A TO-126

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3328-Y,T6CKF(J

2SC3328-Y,T6CKF(J

Beschreibung: TRANS NPN 2A 80V TO226-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SC3415STPP

2SC3415STPP

Beschreibung: TRANS NPN 300V 0.1A 3PIN SPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3332R

2SC3332R

Beschreibung: TRANS NPN 0.7A 160V

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3332S-AA

2SC3332S-AA

Beschreibung: TRANS NPN 160V 0.7A NP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3356-A

2SC3356-A

Beschreibung: RF TRANSISTOR NPN SOT-23

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
2SC3332R-AA

2SC3332R-AA

Beschreibung: TRANS NPN 0.7A 160V

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3503CSTU

2SC3503CSTU

Beschreibung: TRANS NPN 300V 0.1A TO-126

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3357-T1-RF-A

2SC3357-T1-RF-A

Beschreibung: SAME AS NE85634 NPN SILICON MEDI

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
2SC3503FSTU

2SC3503FSTU

Beschreibung: TRANS NPN 300V 0.1A TO-126

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC3506

2SC3506

Beschreibung: TRANS NPN 800V 3A TOP-3F

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
2SC3503ESTU

2SC3503ESTU

Beschreibung: TRANS NPN 300V 0.1A TO-126

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsNachrichtSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.