2SK3816-DL-1E

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Spezifikation

Artikelnummer

2SK3816-DL-1E
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 40A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SK3816-DL-1E.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263-2
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

1.65W (Ta), 50W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1780pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 40A (Ta) 1.65W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

40A (Ta)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "2SK3816-DL-1E" -Einziper.

2SK3813-AZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251

Hersteller: Renesas Electronics America

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