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2SK3821-E

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2SK3821-E
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 40A SMP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    2SK3821-E.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    33 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.65W (Ta), 65W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3, Short Tab
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4200pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    73nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 40A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Through Hole SMP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    40A (Ta)

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Das Folgende sind "2SK3821-E" -Einziper.
2SK3901(0)-ZK-E1-AY

2SK3901(0)-ZK-E1-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2SK3826

2SK3826

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 26A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK3827

2SK3827

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK3816-DL-1E

2SK3816-DL-1E

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 40A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK3899(01)-ZK-E1-AY

2SK3899(01)-ZK-E1-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2SK3814(0)-Z-E1-AZ

2SK3814(0)-Z-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2SK3820-DL-1E

2SK3820-DL-1E

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 26A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK3892

2SK3892

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
2SK3820-DL-E

2SK3820-DL-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK3899(0)-ZK-E1-AZ

2SK3899(0)-ZK-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2SK3814(01)-Z-E1-AZ

2SK3814(01)-Z-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2SK3817-DL-E

2SK3817-DL-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A SMP-FD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK3824

2SK3824

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 60A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK3868(Q,M)

2SK3868(Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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2SK3844(Q)

2SK3844(Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2SK3814(0)-Z-E2-AZ

2SK3814(0)-Z-E2-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2SK3823

2SK3823

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SK3821-DL-E

2SK3821-DL-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A SMP-FD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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2SK3816-DL-E

2SK3816-DL-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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2SK3816-DL-1EX

2SK3816-DL-1EX

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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