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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > 2V7002LT1G

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5126242

2V7002LT1G-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2V7002LT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

2V7002LT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2V7002LT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)

225mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

2V7002LT1G-ND
2V7002LT1GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

36 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

115mA (Tc)

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Das Folgende sind "2V7002LT1G" -Einziper.

RU1J002YNTCL

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

AO7407

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-3

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

IRFR4105TR

IRFR4105TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

GWS4618L

GWS4618L

Beschreibung: MOSFET N-CH LGA

Hersteller: Intersil

vorrätig

2V7002WT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

SKI10123

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 66A TO-263

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.

vorrätig

2SJ648-T1-A

2SJ648-T1-A

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

SI7370DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

DMT6004SCT

DMT6004SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

R6012FNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

2V7002LT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V .115A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

IRFU3607-701PBF

IRFU3607-701PBF

Beschreibung: MOSFET N CH 75V 56A IPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRCZ44PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-5

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

IRLR4343TRRPBF

IRLR4343TRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

AON7516

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

NP160N055TUJ-E2-AY

NP160N055TUJ-E2-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

IXT-1-1N100S1

IXT-1-1N100S1

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

AON7440

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

2V7002KT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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