RU1J002YNTCL

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Spezifikation

Artikelnummer

RU1J002YNTCL
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RU1J002YNTCL.pdf
2.RU1J002YNTCL.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

800mV @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

UMT3F
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

150mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-85
Andere Namen

RU1J002YNTCLTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0.9V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

200mA (Ta)

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Das Folgende sind "RU1J002YNTCL" -Einziper.

RU1608JR047CS

Beschreibung: RES 47M OHM 5% 1/4W 0603

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

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