ATP112-TL-H

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Spezifikation

Artikelnummer

ATP112-TL-H
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ATP112-TL-H.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

ATPAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

43 mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (max)

40W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

ATPAK (2 leads+tab)
Andere Namen

ATP112-TL-HOSDKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.5nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 25A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount ATPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

25A (Ta)

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