ATP114-TL-H

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Spezifikation

Artikelnummer

ATP114-TL-H
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ATP114-TL-H.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

ATPAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 28A, 10V
Verlustleistung (max)

60W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

ATPAK (2 leads+tab)
Andere Namen

ATP114-TL-H-ND
ATP114-TL-HOSTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 55A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount ATPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

55A (Ta)

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