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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > BAS116LT3G
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2759206BAS116LT3G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BAS116LT3G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAS116LT3G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 150mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    75V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    3µs
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    BAS116LT3GOSCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    36 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 75V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5nA @ 75V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    BAS116
BAS116GWX

BAS116GWX

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAS116LYL

BAS116LYL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 325MA 2DFN

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAS12504WH6327XTSA1

BAS12504WH6327XTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 25V SOT323

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BAS116QAZ

BAS116QAZ

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA 3DFN

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAS12504WE6327HTSA1

BAS12504WE6327HTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 25V SOT323

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BAS116LT1G

BAS116LT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS116GWJ

BAS116GWJ

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAS116V-7

BAS116V-7

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 85V 215MA SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS116T-7

BAS116T-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS116T-7-F

BAS116T-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS116H,115

BAS116H,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123F

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAS116E6433HTMA1

BAS116E6433HTMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BAS116LPH4-7B

BAS116LPH4-7B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS116UDJ-7

BAS116UDJ-7

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 85V 215MA SOT963

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS116LT1

BAS116LT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS116T,115

BAS116T,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 215MA SC75

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BAS116HMFHT116

BAS116HMFHT116

Beschreibung: HIGH RELIABILITY AUTOMOTIVE SWIT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
BAS116TT1G

BAS116TT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS116LP3-7

BAS116LP3-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS116L2-TP

BAS116L2-TP

Beschreibung: 215MA,85V,SWITCHING,DFN1006-2C P

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig

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