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3071960BAS12504WE6327HTSA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

BAS12504WE6327HTSA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAS12504WE6327HTSA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 25V SOT323
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BAS12504WE6327HTSA1.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 35mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    25V
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-SOT323-3
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-70, SOT-323
  • Andere Namen
    BAS 125-04W E6327
    BAS 125-04W E6327-ND
    BAS12504WE6327
    BAS12504WE6327HTSA1TR
    SP000012255
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Series Connection
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Series Connection Schottky 25V 100mA (DC) Surface Mount SC-70, SOT-323
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    150nA @ 25V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    100mA (DC)

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BAS116TT1G

BAS116TT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS12507WH6327XTSA1

BAS12507WH6327XTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 25V SOT343

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS116QAZ

BAS116QAZ

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA 3DFN

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS116T-7

BAS116T-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS116LYL

BAS116LYL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 325MA 2DFN

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16

BAS16

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16 RFG

BAS16 RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAS12505WE6327HTSA1

BAS12505WE6327HTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 25V SOT323

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS12507WE6327HTSA1

BAS12507WE6327HTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 25V SOT343

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS116LT3G

BAS116LT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16,215

BAS16,215

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS12504WH6327XTSA1

BAS12504WH6327XTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 25V SOT323

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS116V-7

BAS116V-7

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 85V 215MA SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS116T-7-F

BAS116T-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS116LT1G

BAS116LT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS12505WH6327XTSA1

BAS12505WH6327XTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 25V SOT323

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS116T,115

BAS116T,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 215MA SC75

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
BAS16

BAS16

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 200MA SC59-3

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
BAS116UDJ-7

BAS116UDJ-7

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 85V 215MA SOT963

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS140WE6327HTSA1

BAS140WE6327HTSA1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOD323

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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