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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > BAS19LT1
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3790985BAS19LT1-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BAS19LT1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAS19LT1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    120V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    BAS19LT1OSTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 120V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    BAS19
BAS19-7-F

BAS19-7-F

Beschreibung: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS19-HE3-18

BAS19-HE3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19-HE3-08

BAS19-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19WTR

BAS19WTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT323

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
BAS19W-7-F

BAS19W-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS19-E3-08

BAS19-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19-E3-18

BAS19-E3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19LT3G

BAS19LT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS19W-7

BAS19W-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS20

BAS20

Beschreibung: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS20 RFG

BAS20 RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAS19LT1G

BAS19LT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS19_S00Z

BAS19_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS19-7

BAS19-7

Beschreibung: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS19-G3-18

BAS19-G3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19,235

BAS19,235

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAS19-G3-08

BAS19-G3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19WT-TP

BAS19WT-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
BAS19-TP

BAS19-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Micro Commercial Co
vorrätig
BAS19W RVG

BAS19W RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

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