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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > BAS19-G3-18
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4033922BAS19-G3-18-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

BAS19-G3-18

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAS19-G3-18
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 200mA Surface Mount SOT-23
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
BAS19W RVG

BAS19W RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAS19-TP

BAS19-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Micro Commercial Co
vorrätig
BAS19-7-F

BAS19-7-F

Beschreibung: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS170WS-HE3-18

BAS170WS-HE3-18

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19,215

BAS19,215

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAS19WT-TP

BAS19WT-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
BAS19-HE3-18

BAS19-HE3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19,235

BAS19,235

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAS19LT3G

BAS19LT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS19 RFG

BAS19 RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAS19W-7

BAS19W-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS19

BAS19

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS19LT1

BAS19LT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS19-E3-18

BAS19-E3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19-E3-08

BAS19-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19-G3-08

BAS19-G3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS19W-7-F

BAS19W-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS19LT1G

BAS19LT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS19-7

BAS19-7

Beschreibung: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS19-HE3-08

BAS19-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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