Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > BDV64B
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4637468BDV64B-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BDV64B

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    BDV64B
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PNP DARL 100V 10A TO-218
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    100V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    2V @ 20mA, 5A
  • Transistor-Typ
    PNP - Darlington
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-93
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    125W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-218-3
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 10A 125W Through Hole SOT-93
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    1000 @ 5A, 4V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    1mA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    10A
BDV65B

BDV65B

Beschreibung: POWER TRANSISTOR NPN TO218

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
BDV65A

BDV65A

Beschreibung: POWER TRANSISTOR NPN TO218

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
BDV64C-S

BDV64C-S

Beschreibung: TRANS PNP DARL 120V 12A

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
BDV65A-S

BDV65A-S

Beschreibung: TRANS NPN DARL 80V 12A

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
BDV64B

BDV64B

Beschreibung: POWER TRANSISTOR PNP TO218

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
BDV64A-S

BDV64A-S

Beschreibung: TRANS PNP DARL 60V 12A SOT93

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
BDV64BG

BDV64BG

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 10A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BDV64-S

BDV64-S

Beschreibung: TRANS PNP DARL 60V 12A

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
BDV64A

BDV64A

Beschreibung: POWER TRANSISTOR PNP TO218

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
SBC817-25LT3G

SBC817-25LT3G

Beschreibung: TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SB1203S-H

2SB1203S-H

Beschreibung: TRANS PNP 50V 5A TP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BDV65BG

BDV65BG

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 10A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
JANTXV2N3867

JANTXV2N3867

Beschreibung: TRANS PNP 40V 3A TO5

Hersteller: Microsemi
vorrätig
BDV64B-S

BDV64B-S

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 12A

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
BDV65B

BDV65B

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BDV65

BDV65

Beschreibung: POWER TRANSISTOR NPN TO218

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
BDV65B-S

BDV65B-S

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 12A

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
BDV64

BDV64

Beschreibung: POWER TRANSISTOR PNP TO218

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
BDV65-S

BDV65-S

Beschreibung: TRANS NPN DARL 60V 12A

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
BDV65C-S

BDV65C-S

Beschreibung: TRANS NPN DARL 120V 12A

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden