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BDV65A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BDV65A
  • Hersteller / Marke
    Central Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    POWER TRANSISTOR NPN TO218
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    BDV65A.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    80V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    -
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-218
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    125W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-218-3
  • Betriebstemperatur
    -
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenz - Übergang
    60MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 12A 60MHz 125W Through Hole TO-218
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    1000 @ 5A, 4V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    12A

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Das Folgende sind "BDV65A" -Einziper.
BDV65B-S

BDV65B-S

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 12A

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
RFQ
BDV64

BDV64

Beschreibung: POWER TRANSISTOR PNP TO218

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
BDV64A-S

BDV64A-S

Beschreibung: TRANS PNP DARL 60V 12A SOT93

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
RFQ
BDV64BG

BDV64BG

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 10A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BDV64B-S

BDV64B-S

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 12A

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
RFQ
BDV65B

BDV65B

Beschreibung: POWER TRANSISTOR NPN TO218

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
BDV65B

BDV65B

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SC2655-Y(T6ND3,AF

2SC2655-Y(T6ND3,AF

Beschreibung: TRANS NPN 2A 50V TO226-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
BDV64C-S

BDV64C-S

Beschreibung: TRANS PNP DARL 120V 12A

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
RFQ
BDV64-S

BDV64-S

Beschreibung: TRANS PNP DARL 60V 12A

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
RFQ
BDV65BG

BDV65BG

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 10A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BDV65C-S

BDV65C-S

Beschreibung: TRANS NPN DARL 120V 12A

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
RFQ
BDV65

BDV65

Beschreibung: POWER TRANSISTOR NPN TO218

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
BC549C B1G

BC549C B1G

Beschreibung: TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BDV64B

BDV64B

Beschreibung: POWER TRANSISTOR PNP TO218

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
BDV65-S

BDV65-S

Beschreibung: TRANS NPN DARL 60V 12A

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
RFQ
MJD45H11-001

MJD45H11-001

Beschreibung: TRANS PNP 80V 8A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BDV64B

BDV64B

Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 10A TO-218

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BDV64A

BDV64A

Beschreibung: POWER TRANSISTOR PNP TO218

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
BDV65A-S

BDV65A-S

Beschreibung: TRANS NPN DARL 80V 12A

Hersteller: Bourns, Inc.
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