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3400805

BS108G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BS108G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BS108G.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 Ohm @ 100mA, 2.8V
  • Verlustleistung (max)
    350mW (Ta)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    150pF @ 25V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2V, 2.8V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    200V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    250mA (Ta)

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BS120

BS120

Beschreibung: PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
BS107PSTOB

BS107PSTOB

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BS107G

BS107G

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BS107ARL1G

BS107ARL1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BS107PSTZ

BS107PSTZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BS107P

BS107P

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BS12I-MC

BS12I-MC

Beschreibung: SNAPS 9V 12" I-STYLE MOLDED

Hersteller: MPD (Memory Protection Devices)
vorrätig
RFQ
BS108,126

BS108,126

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
BS12I

BS12I

Beschreibung: SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE

Hersteller: MPD (Memory Protection Devices)
vorrätig
RFQ
BS108/01,126

BS108/01,126

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
BS12T

BS12T

Beschreibung: 9V SNAP T STYLE 12" WIRE LEADS

Hersteller: MPD (Memory Protection Devices)
vorrätig
RFQ
BS12I-NICAD

BS12I-NICAD

Beschreibung: NICAD BATT 9V 3WIRE LEAD PL BODY

Hersteller: MPD (Memory Protection Devices)
vorrätig
RFQ
BS107ARL1

BS107ARL1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BS107PSTOA

BS107PSTOA

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BS120E0F

BS120E0F

Beschreibung: PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
BS12T-HD

BS12T-HD

Beschreibung: 9V HD SNAP T STYLE 12" WIRE LEAD

Hersteller: MPD (Memory Protection Devices)
vorrätig
RFQ
BS12I-22

BS12I-22

Beschreibung: 9V SNAP I STYLE 12" WIRE LEADS

Hersteller: MPD (Memory Protection Devices)
vorrätig
RFQ
BS108ZL1G

BS108ZL1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BS107AG

BS107AG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BS12I-HD-24AWG

BS12I-HD-24AWG

Beschreibung: SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE HD

Hersteller: MPD (Memory Protection Devices)
vorrätig
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