BVSS138LT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

BVSS138LT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BVSS138LT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 Ohm @ 200mA, 5V
Verlustleistung (max)

225mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

BVSS138LT1GOSCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 50V 200mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

200mA (Ta)

Das Folgende sind "BVSS138LT1G" -Einziper.

SSM5G10TU(TE85L,F)

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RFQ

TK20V60W5,LVQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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STD90N4F3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

RFQ

SIA814DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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RFQ

PSMN2R6-60PSQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 150A TO-220

Hersteller: Nexperia

vorrätig

RFQ

IPS090N03LGBKMA1

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A TO251-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

IRL1404PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 160A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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BVSD-2032-PC

Beschreibung: VERT SNAP DRAGON CR2032 PC PIN

Hersteller: MPD (Memory Protection Devices)

vorrätig

RFQ

BVSD-2032-SM

Beschreibung: VERT SNAP DRAGON CR2032 SMT

Hersteller: MPD (Memory Protection Devices)

vorrätig

RFQ

BUZ30AHXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

IRFD224PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

IPP03N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

TPCF8A01(TE85L)

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3A VS-8

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

BVSS84LT1G

Beschreibung: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

BVSS123LT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

AOTF10N50FD_001

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

RFQ

IRF3314STRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

NVMFS6B25NLWFT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

DN3765K4-G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK

Hersteller: Micrel / Microchip Technology

vorrätig

RFQ

BVSD-2032-COVER

Beschreibung: COVER FOR VERT SNAP DRAGON HLDR

Hersteller: MPD (Memory Protection Devices)

vorrätig

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