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666008BVSS84LT1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BVSS84LT1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BVSS84LT1G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BVSS84LT1G.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 Ohm @ 100mA, 5V
  • Verlustleistung (max)
    225mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    BVSS84LT1G-ND
    BVSS84LT1GOSTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    36 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    36pF @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.2nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    50V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 50V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    130mA (Ta)

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Das Folgende sind "BVSS84LT1G" -Einziper.
AUIRLR3636

AUIRLR3636

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 99A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BVSS123LT1G

BVSS123LT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BVSD-2032-PC

BVSD-2032-PC

Beschreibung: VERT SNAP DRAGON CR2032 PC PIN

Hersteller: MPD (Memory Protection Devices)
vorrätig
RFQ
BVSS138LT1G

BVSS138LT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NTHS5443T1G

NTHS5443T1G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BUK7606-55B,118

BUK7606-55B,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
APTM120U10DAG

APTM120U10DAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
IRF7811TR

IRF7811TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
ZXMP10A18K

ZXMP10A18K

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BVSD-2032-COVER

BVSD-2032-COVER

Beschreibung: COVER FOR VERT SNAP DRAGON HLDR

Hersteller: MPD (Memory Protection Devices)
vorrätig
RFQ
FDS7088SN3

FDS7088SN3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6020ANX

R6020ANX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF830PBF

IRF830PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AUIRF7416QTR

AUIRF7416QTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IXTQ280N055T

IXTQ280N055T

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
BVSD-2032-SM

BVSD-2032-SM

Beschreibung: VERT SNAP DRAGON CR2032 SMT

Hersteller: MPD (Memory Protection Devices)
vorrätig
RFQ
AOD2606

AOD2606

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 46A TO252

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
FQA10N60C

FQA10N60C

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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