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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > DLN10C-AT1
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5802515DLN10C-AT1-Bild.ON Semiconductor

DLN10C-AT1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DLN10C-AT1
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DLN10C-AT1.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1A
  • Spannung - Durchschlag
    -
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    R-1 (Axial)
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    35ns
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    DLN10C-AT1
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Through Hole
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 200V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    980mV @ 1A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200V
  • Kapazität @ Vr, F
    150°C (Max)

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2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "DLN10C-AT1" -Einziper.
US1MDFQ-13

US1MDFQ-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
MBR735

MBR735

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220AC

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
CMPD1001 BK

CMPD1001 BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 90V 250MA SOT23

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
RGP10AE-M3/54

RGP10AE-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DPF400C400NB

DPF400C400NB

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 400A SOT227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
RGL34KHE3/98

RGL34KHE3/98

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DLNP-6148-D6D1

DLNP-6148-D6D1

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 600MA 2LN TH

Hersteller: Schurter
vorrätig
RFQ
DLN10C-BT

DLN10C-BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SB220-E3/54

SB220-E3/54

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MA2YD2300L

MA2YD2300L

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 25V 1A MINI2

Hersteller: Panasonic Electronic Components
vorrätig
RFQ
ES1HL RUG

ES1HL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SE20PG-M3/85A

SE20PG-M3/85A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.6A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
HS3A V7G

HS3A V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-60APF02-M3

VS-60APF02-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
UPS5100E3/TR13

UPS5100E3/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 5A POWERMITE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MUR210G

MUR210G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
VS-80PF140W

VS-80PF140W

Beschreibung: DIODE STD REC 80A DO-5

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
DLNP-6148-01C5

DLNP-6148-01C5

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 1A 2LN TH

Hersteller: Schurter
vorrätig
RFQ
RB160LAM-90TFTR

RB160LAM-90TFTR

Beschreibung: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SS2P6-M3/84A

SS2P6-M3/84A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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