Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > DLN10C-BT
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5601772DLN10C-BT-Bild.ON Semiconductor

DLN10C-BT

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    DLN10C-BT
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DLN10C-BT.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1A
  • Spannung - Durchschlag
    -
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    R-1 (Axial)
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    35ns
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    DLN10C-BT
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Through Hole
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 200V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    980mV @ 1A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200V
  • Kapazität @ Vr, F
    150°C (Max)

AMD startet den Bau der zweiten Phase des Bangalore Design ...

2024/11/26

Die NVIDIA RTX 5090 -Grafikkarte hat eine GPU -Fläche von ...

2024/11/25

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "DLN10C-BT" -Einziper.
SK33

SK33

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
RHRP30120-F102

RHRP30120-F102

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220-2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DLNP-6148-01C5

DLNP-6148-01C5

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 1A 2LN TH

Hersteller: Schurter
vorrätig
RFQ
NS8DT-E3/45

NS8DT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SS5P6HM3/87A

SS5P6HM3/87A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
STTH30S06W

STTH30S06W

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A DO247-2

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
GL41Y-E3/96

GL41Y-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FR153GHR0G

FR153GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
DLN10C-AT1

DLN10C-AT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SB520-E3/54

SB520-E3/54

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 5A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SR1030HC0G

SR1030HC0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
JANTX1N5814R

JANTX1N5814R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
SFF1004GA C0G

SFF1004GA C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 10A ITO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SL42-9C

SL42-9C

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 4A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DLNP-6148-D6D1

DLNP-6148-D6D1

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 600MA 2LN TH

Hersteller: Schurter
vorrätig
RFQ
1N3736

1N3736

Beschreibung: RECTIFIER STUD MOUNT DO-9

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
VS-40HF20

VS-40HF20

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SS24HR5G

SS24HR5G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SRP100B-E3/73

SRP100B-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SFAF502G C0G

SFAF502G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 5A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.