ECH8601M-TL-H

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Spezifikation

Artikelnummer

ECH8601M-TL-H
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 24V 8A ECH8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ECH8601M-TL-H.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse

8-ECH
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 4A, 4.5V
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

ECH8601M-TL-HOSCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Merkmal

Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)

24V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A (Ta) Surface Mount 8-ECH
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A (Ta)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "ECH8601M-TL-H" -Einziper.

ECH8503-TL-H

Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 5A 8ECH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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