ECH8502-TL-H

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Spezifikation

Artikelnummer

ECH8502-TL-H
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN/PNP 100V/50V 5A 8ECH
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ECH8502-TL-H.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

100V, 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

120mV @ 125mA, 2.5A
Transistor-Typ

NPN, PNP
Supplier Device-Gehäuse

8-ECH
Serie

-
Leistung - max

1.6W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

ECH8502-TL-HOSCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

290MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 100V, 50V 5A 290MHz 1.6W Surface Mount 8-ECH
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

200 @ 500mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

5A

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "ECH8502-TL-H" -Einziper.

ECH8315-TL-W

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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