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2626710EMD5DXV6T1G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

EMD5DXV6T1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    EMD5DXV6T1G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    EMD5DXV6T1G.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-563
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    10 kOhms, 47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms, 47 kOhms
  • Leistung - max
    500mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Andere Namen
    EMD5DXV6T1GOS
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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Das Folgende sind "EMD5DXV6T1G" -Einziper.
EMD3T2R

EMD3T2R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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EMD53T2R

EMD53T2R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
EMD6T2R

EMD6T2R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
EMD4T2R

EMD4T2R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
EMD2FHAT2R

EMD2FHAT2R

Beschreibung: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
EMD59T2R

EMD59T2R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
EMD9FHAT2R

EMD9FHAT2R

Beschreibung: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
EMD2T2R

EMD2T2R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
EMD29T2R

EMD29T2R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
EMD5DXV6T5G

EMD5DXV6T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
EMD6FHAT2R

EMD6FHAT2R

Beschreibung: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
EMD4DXV6T1G

EMD4DXV6T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
EMD9T2R

EMD9T2R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
EMD5DXV6T1

EMD5DXV6T1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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EMD4000B

EMD4000B

Beschreibung: SENSOR HUMIDITY

Hersteller: Advanced Sensors / Amphenol
vorrätig
RFQ
EMD4DXV6T5G

EMD4DXV6T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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EMD5T2R

EMD5T2R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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EMD30T2R

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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EMD62T2R

EMD62T2R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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EMDC0000

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Beschreibung: (OPPOSED BEAM PAIR) DC POWERED

Hersteller: Red Lion Controls
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