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1082678EMD4DXV6T5G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

EMD4DXV6T5G

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  • Artikelnummer
    EMD4DXV6T5G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    EMD4DXV6T5G.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-563
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    47 kOhms, 10 kOhms
  • Leistung - max
    500mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    2 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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EMD59T2R

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EMD62T2R

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EMD22T2R

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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EMD4DXV6T1G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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EMD5DXV6T5G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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EMD22FHAT2R

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Beschreibung: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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EMD12T2R

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EMD5DXV6T1G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

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EMD5DXV6T1

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EMD4000B

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Beschreibung: SENSOR HUMIDITY

Hersteller: Advanced Sensors / Amphenol
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Beschreibung: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

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