EMH2409-TL-H

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Spezifikation

Artikelnummer

EMH2409-TL-H
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 4A EMH8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

EMH2409-TL-H.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Supplier Device-Gehäuse

8-EMH
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 2A, 10V
Leistung - max

1.2W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.4nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1.2W Surface Mount 8-EMH
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4A

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "EMH2409-TL-H" -Einziper.

EMH1FHAT2R

Beschreibung: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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