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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased > EMH1FHAT2R

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78440

EMH1FHAT2R-Bild.

LAPIS Semiconductor

EMH1FHAT2R

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Spezifikation

Artikelnummer

EMH1FHAT2R
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.EMH1FHAT2R.pdf
2.EMH1FHAT2R.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

-
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

EMT6
Serie

Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

EMH1FHAT2RTR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

56 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "EMH1FHAT2R" -Einziper.

EMH1307-TL-H

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

EMH2407-S-TL-H

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

EMH1405-P-TL-H

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

EMH2407-S-TL-HX

EMH2407-S-TL-HX

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

EMH-54/3-Q48N-C

EMH-54/3-Q48N-C

Beschreibung: DC DC CONVERTER 54V 162W

Hersteller: Murata Power Solutions

vorrätig

EMH10FHAT2R

Beschreibung: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

EMH2408-TL-H

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4A EMH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

EMH-54/3-Q48NB-C

EMH-54/3-Q48NB-C

Beschreibung: DC DC CONVERTER 54V 162W

Hersteller: Murata Power Solutions

vorrätig

EMH11T2R

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

EMH2412-TL-H

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 24V 6A EMH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

EMH2411R-TL-H

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5A EMH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

EMH2409-TL-H

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4A EMH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

EMH2314-TL-H

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 5A EMH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

EMH2407-TL-H

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

EMH10T2R

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

EMH1405-TL-H

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

EMH1T2R

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

EMH11FHAT2R

Beschreibung: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

EMH2308-TL-H

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3A EMH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

EMH15T2R

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W 6EMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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