FCH067N65S3-F155

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Spezifikation

Artikelnummer

FCH067N65S3-F155
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 44A TO247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FCH067N65S3-F155.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4.4mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247 Long Leads
Serie

SuperFET® III
Rds On (Max) @ Id, Vgs

67 mOhm @ 22A, 10V
Verlustleistung (max)

312W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

FCH067N65S3_F155
FCH067N65S3_F155-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3090pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Super Junction
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 44A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

44A (Tc)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FCH067N65S3-F155" -Einziper.

FCH041N65EF-F155

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 76A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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