FCH072N60F-F085

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Spezifikation

Artikelnummer

FCH072N60F-F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FCH072N60F-F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247
Serie

Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

72 mOhm @ 26A, 10V
Verlustleistung (max)

481W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

FCH072N60F_F085
FCH072N60F_F085-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6330pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

210nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 52A (Tc) 481W (Tc) Through Hole TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

52A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FCH072N60F-F085" -Einziper.

FCH099N65S3_F155

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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