FCP16N60N-F102

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Spezifikation

Artikelnummer

FCP16N60N-F102
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FCP16N60N-F102.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220F
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

199 mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (max)

134.4W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

FCP16N60N_F102
FCP16N60N_F102-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

39 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2170pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52.3nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 16A (Tc) 134.4W (Tc) Through Hole TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FCP16N60N-F102" -Einziper.

FCP15708_FLORENTINA-4X1-MRK-S

Beschreibung: LENS W/ HOLDER CLEAR SPOT SCREW

Hersteller: LEDiL

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