FCP190N60

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Spezifikation

Artikelnummer

FCP190N60
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V TO220-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FCP190N60.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220
Serie

SuperFET® II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

199 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

208W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

52 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2950pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20.2A (Tc)

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FCP15710_FLORENTINA-4X1-MRK-W

Beschreibung: LENS W/ HOLDER CLEAR WIDE SCREW

Hersteller: LEDiL

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RFQ

FCP190N65S3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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RFQ

FCP1913H104J-E3

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

RFQ

FCP16N60N-F102

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCP16N60N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCP190N65F

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCP190N60-GF102

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCP16N60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCP1913H104G-E2

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

RFQ

FCP1913H104J-E2

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

RFQ

FCP170N60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 22A TO220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCP1913H104G-E3

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

RFQ

FCP15708_FLORENTINA-4X1-MRK-S

Beschreibung: LENS W/ HOLDER CLEAR SPOT SCREW

Hersteller: LEDiL

vorrätig

RFQ

FCP190N60E

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCP190N65S3R0

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCP165N65S3R0

Beschreibung: SUPERFET3 650V TO220 PKG

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCP165N65S3

Beschreibung: SF3 650V 165MOHM E TO220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCP165N60E

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A TO220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCP1913H104G

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

RFQ

FCP15709_FLORENTINA-4X1-MRK-M

Beschreibung: LENS CLEAR MEDIUM SCREW

Hersteller: LEDiL

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FCP190N65S3

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FCP16N60N-F102

FCP16N60N

FCP190N65F

FCP190N60-GF102

FCP16N60

FCP1913H104G-E2

FCP1913H104J-E2

FCP170N60

FCP1913H104G-E3

FCP15708_FLORENTINA-4X1-MRK-S

FCP190N60E

FCP190N65S3R0

FCP165N65S3R0

FCP165N65S3

FCP165N60E

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