FDB14AN06LA0-F085

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Spezifikation

Artikelnummer

FDB14AN06LA0-F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDB14AN06LA0-F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263AB
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.6 mOhm @ 67A, 10V
Verlustleistung (max)

125W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

FDB14AN06LA0-F085CT
FDB14AN06LA0_F085CT
FDB14AN06LA0_F085CT-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

67A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "FDB14AN06LA0-F085" -Einziper.

FDB14N30TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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