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5687900FDB2532-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB2532

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FDB2532
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FDB2532.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D²PAK
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 33A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    310W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    FDB2532TR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    5870pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    107nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    150V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 150V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount D²PAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A (Ta), 79A (Tc)

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FDB2552

FDB2552

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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FDB24AN06LA0

FDB24AN06LA0

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB2552-F085

FDB2552-F085

Beschreibung: MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Beschreibung: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB2572

FDB2572

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB28N30TM

FDB28N30TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB20N50F

FDB20N50F

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB16AN08A0

FDB16AN08A0

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB2532-F085

FDB2532-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB14AN06LA0

FDB14AN06LA0

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
FDB150N10

FDB150N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB2710

FDB2710

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB14N30TM

FDB14N30TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB2670

FDB2670

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB20AN06A0

FDB20AN06A0

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB2570

FDB2570

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB2614

FDB2614

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
FDB15N50

FDB15N50

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
FDB33N25TM

FDB33N25TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FDB14AN06LA0-F085

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK

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