FDD24AN06LA0

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Spezifikation

Artikelnummer

FDD24AN06LA0
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 40A D-PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDD24AN06LA0.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252AA
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max)

75W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 7.1A (Ta), 40A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.1A (Ta), 40A (Tc)

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2025/03/31

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Das Folgende sind "FDD24AN06LA0" -Einziper.

FDD20AN06A0

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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