FDD14AN06LA0-F085

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Spezifikation

Artikelnummer

FDD14AN06LA0-F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDD14AN06LA0-F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252AA
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.6 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

125W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

FDD14AN06LA0-F085DKR
FDD14AN06LA0_F085DKR
FDD14AN06LA0_F085DKR-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

29 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2810pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 9.5A (Ta), 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.5A (Ta), 50A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FDD14AN06LA0-F085" -Einziper.

FDD10N20LZTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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