Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > FDI8442

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

3871917

FDI8442

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

FDI8442
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 80A TO-262
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDI8442.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I2PAK (TO-262)
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)

254W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

235nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 23A (Ta), 80A (Tc) 254W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

23A (Ta), 80A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "FDI8442" -Einziper.

FDI040N06

FDI040N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDI150N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDI14-187Q

Beschreibung: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Hersteller: 3M

vorrätig

FDI18-250Q

Beschreibung: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Hersteller: 3M

vorrätig

FDI045N10A-F102

FDI045N10A-F102

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDI9406-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDI2532

FDI2532

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDI3632

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDI9409-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDI8441

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDI33N25TU

FDI33N25TU

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDI10-250Q

FDI10-250Q

Beschreibung: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC

Hersteller: 3M

vorrätig

FDI3652

FDI3652

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDI038AN06A0

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDI8441_F085

FDI8441_F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDI18-187Q

Beschreibung: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Hersteller: 3M

vorrätig

FDI045N10A

FDI045N10A

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDI14-250Q

Beschreibung: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Hersteller: 3M

vorrätig

FDI047AN08A0

FDI047AN08A0

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDI14-250C

Beschreibung: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Hersteller: 3M

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.