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5327555FDI150N10-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDI150N10

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FDI150N10
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FDI150N10.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    I2PAK (TO-262)
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 49A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    110W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4760pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    69nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 57A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    57A (Tc)

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Das Folgende sind "FDI150N10" -Einziper.
FDI8442

FDI8442

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDI9406-F085

FDI9406-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDI14-250C

FDI14-250C

Beschreibung: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Hersteller: 3M
vorrätig
RFQ
FDI14-250Q

FDI14-250Q

Beschreibung: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Hersteller: 3M
vorrätig
RFQ
FDI8441_F085

FDI8441_F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDI14-187Q

FDI14-187Q

Beschreibung: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Hersteller: 3M
vorrätig
RFQ
FDI045N10A

FDI045N10A

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDI3652

FDI3652

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDI045N10A-F102

FDI045N10A-F102

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDI18-187Q

FDI18-187Q

Beschreibung: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Hersteller: 3M
vorrätig
RFQ
FDI33N25TU

FDI33N25TU

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDI040N06

FDI040N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDI3632

FDI3632

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDI10-250Q

FDI10-250Q

Beschreibung: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC

Hersteller: 3M
vorrätig
RFQ
FDI18-250Q

FDI18-250Q

Beschreibung: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Hersteller: 3M
vorrätig
RFQ
FDI2532

FDI2532

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDI038AN06A0

FDI038AN06A0

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDI8441

FDI8441

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDI047AN08A0

FDI047AN08A0

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDI030N06

FDI030N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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