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FDP020N06B-F102

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FDP020N06B-F102
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FDP020N06B-F102.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220-3
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 mOhm @ 100A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    333W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    FDP020N06B
    FDP020N06B-ND
    FDP020N06B_F102
    FDP020N06B_F102-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    39 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    20930pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    268nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 120A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    120A (Tc)

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FDP030N06B-F102

FDP030N06B-F102

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP027N08B

FDP027N08B

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP039N08B-F102

FDP039N08B-F102

Beschreibung: MOSFET N CH 80V 120A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP040N06

FDP040N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP023N08B-F102

FDP023N08B-F102

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP032N08-F102

FDP032N08-F102

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP038AN06A0

FDP038AN06A0

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP036N10A

FDP036N10A

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP-1500

FDP-1500

Beschreibung: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1.5M

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
FDP-1000

FDP-1000

Beschreibung: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
FDP032N08

FDP032N08

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 120A TO-220

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP027N08B-F102

FDP027N08B-F102

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP032N08B-F102

FDP032N08B-F102

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP025N06

FDP025N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP030N06

FDP030N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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FDP-N500

FDP-N500

Beschreibung: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
FDP-N1500

FDP-N1500

Beschreibung: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1.5M

Hersteller: Panasonic
vorrätig
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FDP038AN06A0-F102

FDP038AN06A0-F102

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP-N1000

FDP-N1000

Beschreibung: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M

Hersteller: Panasonic
vorrätig
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FDP-500

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Beschreibung: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM

Hersteller: Panasonic
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