FDP8870-F085

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Spezifikation

Artikelnummer

FDP8870-F085
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 156A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.FDP8870-F085.pdf
2.FDP8870-F085.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1 mOhm @ 35A, 10V
Verlustleistung (max)

160W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

FDP8870_F085
FDP8870_F085-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

132nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 19A (Ta), 156A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

19A (Ta), 156A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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FDP86363-F085

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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