Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > FDP8D5N10C
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1886951

FDP8D5N10C

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
800+
$2.698
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    FDP8D5N10C
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    FET ENGR DEV-NOT REL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    FDP8D5N10C.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 130µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220-3
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5 mOhm @ 76A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.4W (Ta), 107W (Tc)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status
    Lead free
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2475pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 76A (Tc) 2.4W (Ta), 107W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    76A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kündigt 500 Entlassungen an, wobei die Umstruktu...

2024/12/4

Quanta: Die KI -Nachfrage ist weiterhin stark, mit einem st...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduziert die Verwendung von Photoresist in der 3D ...

2024/12/2

Vishay wird 51 Millionen Pfund in den erworbenen NWF Wafer ...

2024/11/29

Trumps Tarifbedrohung, Nvidia, Intel -Lieferanten, bewerten...

2024/11/28

Intel erhält Subventionen in Höhe von 7,86 Milliarden US ...

2024/11/27
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "FDP8D5N10C" -Einziper.
FDPC5030SG

FDPC5030SG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDPC8011S

FDPC8011S

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP8876

FDP8876

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 70A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDPC3D5N025X9D

FDPC3D5N025X9D

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 25V 74A 12-PQFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDPC1002S

FDPC1002S

Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDPC4044

FDPC4044

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 8MLP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP8N50NZ

FDP8N50NZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDPC8012S

FDPC8012S

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP8870

FDP8870

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP8896

FDP8896

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP86363-F085

FDP86363-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 110A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP8870-F085

FDP8870-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP8878

FDP8878

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP8860

FDP8860

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDPC8014AS

FDPC8014AS

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 20A/40A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDPC8013S

FDPC8013S

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 13A/26A 3.3MM

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDPC5018SG

FDPC5018SG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP8874

FDP8874

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP8447L

FDP8447L

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 12A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDP8880

FDP8880

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsNachrichtSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.