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FDR8308P

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FDR8308P
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FDR8308P.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SuperSOT™-8
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 3.2A, 4.5V
  • Leistung - max
    800mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SMD, Gull Wing
  • Andere Namen
    FDR8308P-ND
    FDR8308PTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1240pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 P-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.2A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.2A

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Das Folgende sind "FDR8308P" -Einziper.
FDR842P

FDR842P

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI6983DQ-T1-E3

SI6983DQ-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FDR6674A

FDR6674A

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR25-0

FDR25-0

Beschreibung: CABLE STRANDED MC

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
FDR858P

FDR858P

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR8305N

FDR8305N

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
UPA1981TE-T1-A

UPA1981TE-T1-A

Beschreibung: MOSFET

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
FDR25S-2

FDR25S-2

Beschreibung: HOOK-UP DUAL WALL STRND 2AWG BLK

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
FDR25S-4

FDR25S-4

Beschreibung: CABLE STRANDED

Hersteller: TE Connectivity Raychem Cable Protection
vorrätig
RFQ
FDR4420A

FDR4420A

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
APTC80H29T3G

APTC80H29T3G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
FDR8508P

FDR8508P

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR25S-8

FDR25S-8

Beschreibung: HOOK-UP DUAL WALL STRND 8AWG BLK

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
FDR838P

FDR838P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR840P

FDR840P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR844P

FDR844P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF7379TRPBF

IRF7379TRPBF

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDR6580

FDR6580

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR8521L

FDR8521L

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR8702H

FDR8702H

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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