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FDR840P

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FDR840P
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FDR840P.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SuperSOT™-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 10A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    1.8W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SMD, Gull Wing
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4481pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 10A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    10A (Ta)

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Zahlung
Das Folgende sind "FDR840P" -Einziper.
BUK7Y1R7-40HX

BUK7Y1R7-40HX

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
FDR25S-2

FDR25S-2

Beschreibung: HOOK-UP DUAL WALL STRND 2AWG BLK

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
FDR842P

FDR842P

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR8702H

FDR8702H

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR8521L

FDR8521L

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR25S-4

FDR25S-4

Beschreibung: CABLE STRANDED

Hersteller: TE Connectivity Raychem Cable Protection
vorrätig
RFQ
FDR858P

FDR858P

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR8308P

FDR8308P

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR8305N

FDR8305N

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR25S-8

FDR25S-8

Beschreibung: HOOK-UP DUAL WALL STRND 8AWG BLK

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
FDR838P

FDR838P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR844P

FDR844P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR8508P

FDR8508P

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR6580

FDR6580

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMNH10H028SK3Q-13

DMNH10H028SK3Q-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
EPC2047ENGRT

EPC2047ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 200V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
CSD18509Q5B

CSD18509Q5B

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
FDR4420A

FDR4420A

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDR25-0

FDR25-0

Beschreibung: CABLE STRANDED MC

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
FDR6674A

FDR6674A

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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