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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS8876

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Spezifikation

Artikelnummer

FDS8876
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDS8876.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2 mOhm @ 12.5A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

FDS8876CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1650pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12.5A (Ta)

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Das Folgende sind "FDS8876" -Einziper.

FDS8926A

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS8884

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS8928A

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS89161LZ

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS8690

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS8874

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS89161

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS8870_G

Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS8896

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS8878

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS8812NZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS8813NZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS8858CZ

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-SO

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS8842NZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS8882

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS8880

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS8817NZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS8840NZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS8870

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDS89141

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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