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FJN3305RTA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FJN3305RTA
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FJN3305RTA.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    10 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Andere Namen
    FJN3305RTA-ND
    FJN3305RTATB
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    30 @ 5mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    FJN3305

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FJN3305RBU

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FJN3303RTA

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

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FJN3307RBU

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

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FJN3303TA

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Beschreibung: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92

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FJN3304RTA

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJN3306RTA

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

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FJN3308RBU

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

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FJN3303BU

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FJN3308RTA

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FJN3310RBU

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FJN3303FBU

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FJN3303FTA

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FJN3309RTA

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FJN3306RBU

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