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FJN4308RTA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FJN4308RTA
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    PNP - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    22 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    47 kOhms
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    200MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    56 @ 5mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
FJN4306RBU

FJN4306RBU

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FJN4312RTA

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vorrätig
FJN4303RTA

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FJN4313RTA

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vorrätig
FJN4311RTA

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FJN4307RTA

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FJN4308RBU

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FJN4310RBU

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FJN4313RBU

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FJN4305RBU

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FJN4309RTA

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FJN4311RBU

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FJN4307RBU

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FJN4305RTA

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FJN4312RBU

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FJN4304RTA

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FJN4306RTA

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FJN4304RBU

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FJN4309RBU

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