FJN4310RBU

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Spezifikation

Artikelnummer

FJN4310RBU
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

40V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

TO-92-3
Serie

-
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

300mW
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

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FJN4305RBU

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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