FQB32N12V2TM

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Spezifikation

Artikelnummer

FQB32N12V2TM
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FQB32N12V2TM.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max)

3.75W (Ta), 150W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

120V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 120V 32A (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

32A (Tc)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "FQB32N12V2TM" -Einziper.

FQB34N20LTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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