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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > FQB34N20LTM

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FQB34N20LTM-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB34N20LTM

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Spezifikation

Artikelnummer

FQB34N20LTM
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FQB34N20LTM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 15.5A, 10V
Verlustleistung (max)

3.13W (Ta), 180W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

FQB34N20LTM-ND
FQB34N20LTMCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 31A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

31A (Tc)

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Das Folgende sind "FQB34N20LTM" -Einziper.

FQB2N90TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB34P10TM-F085

FQB34P10TM-F085

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB3N90TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB2P25TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB32N12V2TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB3N40TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB30N06LTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB3N80TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB3N25TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB34P10TM-F085P

FQB34P10TM-F085P

Beschreibung: PMOS D2PAK 100V 60 MOHM

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB34P10TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB2P40TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 400V 2A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB3N30TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB30N06TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB34N20TM-AM002

FQB34N20TM-AM002

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB33N10TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB2NA90TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB33N10LTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB32N20CTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB3N60CTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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