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FQB8N60CTM-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB8N60CTM

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Spezifikation

Artikelnummer

FQB8N60CTM
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FQB8N60CTM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Verlustleistung (max)

3.13W (Ta), 147W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

FQB8N60CTMFSDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1255pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.5A (Tc)

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Das Folgende sind "FQB8N60CTM" -Einziper.

FQB8N60CTM-WS

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB7P20TM-F085

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB85N06TM_AM002

FQB85N06TM_AM002

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB7N80TM_AM002

FQB7N80TM_AM002

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB7P06TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB9N08LTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB7N60TM-WS

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB9N25TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB8P10TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB8N90CTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB9N50CFTM_WS

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB7P20TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB9N25CTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB7N65CTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB7N60TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB8N25TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB9N50CFTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB8N60CFTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB9N15TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 9A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQB9N08TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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