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3018159FQB8P10TM-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB8P10TM

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FQB8P10TM
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    530 mOhm @ 4A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.75W (Ta), 65W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    FQB8P10TMCT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    470pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 100V 8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A (Tc)
FQB9N25CTM

FQB9N25CTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB9N15TM

FQB9N15TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 9A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB7P06TM

FQB7P06TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB9N50CFTM

FQB9N50CFTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB9N50CTM

FQB9N50CTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB7N80TM_AM002

FQB7N80TM_AM002

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB9N50CFTM_WS

FQB9N50CFTM_WS

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB9P25TM

FQB9P25TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB8N90CTM

FQB8N90CTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB85N06TM_AM002

FQB85N06TM_AM002

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB8N25TM

FQB8N25TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB9N25TM

FQB9N25TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB9N50TM

FQB9N50TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB7P20TM

FQB7P20TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB9N08LTM

FQB9N08LTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB7P20TM-F085

FQB7P20TM-F085

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB8N60CTM-WS

FQB8N60CTM-WS

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB9N08TM

FQB9N08TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB8N60CFTM

FQB8N60CFTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQB8N60CTM

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

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