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FQD2N80TM

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FQD2N80TM
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-Pak
  • Serie
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.3 Ohm @ 900mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    FQD2N80TMCT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    550pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    800V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 800V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    1.8A (Tc)
FQD2N50TM

FQD2N50TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD30N06TF

FQD30N06TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD2N80TM_WS

FQD2N80TM_WS

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD2N60CTM-WS

FQD2N60CTM-WS

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.9A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD2N60TM

FQD2N60TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD2N60CTM

FQD2N60CTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD30N06TF_F080

FQD30N06TF_F080

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD2P40TM

FQD2P40TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD2N90TM

FQD2N90TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD2N60TF

FQD2N60TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD2N60CTF

FQD2N60CTF

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD2N40TM

FQD2N40TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD30N06LTF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD2P40TF

FQD2P40TF

Beschreibung: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD2N90TF

FQD2N90TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD30N06LTM

FQD30N06LTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FQD2N80TF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD2N50TF

FQD2N50TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FQD2N60CTF_F080

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FQD2P40TF_F080

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Beschreibung: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

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