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FQD2N90TM

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Spezifikation

Artikelnummer

FQD2N90TM
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.FQD2N90TM.pdf
2.FQD2N90TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2 Ohm @ 850mA, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 50W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

FQD2N90TMCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

17 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

900V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 900V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.7A (Tc)

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Das Folgende sind "FQD2N90TM" -Einziper.

FQD30N06TM

FQD30N06TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD30N06LTF

FQD30N06LTF

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD2N80TM

FQD2N80TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD3N30TM

FQD3N30TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD2N80TM_WS

FQD2N80TM_WS

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD30N06LTM

FQD30N06LTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD2P40TM

FQD2P40TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD2N60CTM-WS

FQD2N60CTM-WS

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.9A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD30N06TF_F080

FQD30N06TF_F080

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD3N30TF

FQD3N30TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD2N60CTM

FQD2N60CTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD2N90TF

FQD2N90TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD2N60CTF_F080

FQD2N60CTF_F080

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD2N60TM

FQD2N60TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD2N60TF

FQD2N60TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD2P40TF_F080

FQD2P40TF_F080

Beschreibung: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD2P40TF

FQD2P40TF

Beschreibung: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD30N06TF

FQD30N06TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD2N60CTF

FQD2N60CTF

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQD2N80TF

FQD2N80TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

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